直流磁控溅射常用解决方案,创世威纳公司

磁控溅射镀膜设备及技术

（专利技术）该设备选用磁控溅射镀一层薄薄的膜（MSP）技术性，是这种智能、率的镀膜设备。磁控溅射镀膜机目前认为溅射现象是弹性碰撞的直接结果，溅射完全是动能的交换过程。可依据客户规定配备转动磁控靶、单脉冲溅射靶、中频孪生溅射靶、非均衡磁控溅射靶、霍耳等离子技术源、考夫曼离子源、直流电单脉冲累加式偏压开关电源等，组态灵便、主要用途普遍，主要用于金属材料或非金属材料（塑胶、夹层玻璃、瓷器等）的钢件镀铝、铜、铬、钛金板、银及不锈钢板等陶瓷膜或式陶瓷膜及渗金属材料DLC膜，所镀一层薄薄的膜层匀称、高密度、粘合力强等特性，可普遍用以电器产品、时钟、陶瓷艺术品、小玩具、大灯反光罩及其仪表设备等表层装饰艺术镀一层薄薄的膜及工磨具的作用镀层。2离子轰击渗扩技术性的特性(1)离子轰击渗扩更快因为选用低温等离子无心插柳，为渗剂分子和正离子的吸咐和渗人造就了高宽比活性的表层，提升了结晶中缺点的相对密度，比传统式的汽体渗扩技术性速率明显增强。在一样加工工艺标准下，渗层深度1在0.05二以内，比汽体渗扩提升1倍。在较高溫度下，1h就能达lmm厚。(2)对钢件表层改..

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磁控溅射镀膜机

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真空镀膜机利用这种溅射方法在基体上沉积薄膜是1877年问世的。但是，利用这种方法沉积薄膜的初期存在着溅射速率低，成膜速度慢，并且必须在装置上设置高压和通入惰性气体等一系列问题。常见的磁控溅射靶材从几何形状上看有三种类型：矩形平面、圆形平面和圆柱管?如何提高利用率是真空磁控溅射镀膜行业的***,圆柱管靶利用高,但在有些产业是不适用的,如何提高靶材利用,请到此一看的朋友,在下面留下你的见解,提供好的方法。因此，发展缓慢险些被淘汰。只是在化学活性强的金属、难容金属、介质以及化合物等材料上得到了少量的应用。直到20世纪70年代，由于磁控溅射及时的出现，才使溅射镀膜得到了迅速的发展，开始走入了复兴的道路。这是因为磁控溅射法可以通过正交电磁场对电子的约束，增加了电子与气体分子的碰撞概率，这样不但降低了加在阴极上的电压，而且提高了正离子对靶阴极的溅射速率，减少了电子轰击基体的概率，从而降低了它的温度，即具备了;高速、低温的两大特点。到了80年代，虽然他的出现仅仅十几年间，它就从实验室中脱颖而出，真正地进入了工业大生产的领域。而且，随着科学技术的进一步发展，近几年来在溅射镀膜领域中推出了离子束增强溅射，采用宽束强流离子源结合磁场调制，并与常规的二极溅射相结合组成了一种新的溅射模式。而且，又将中频交流电源引入到磁控溅射的靶源中。这种被称为孪生靶溅射的中频交流磁控溅射技术，不但消除了阳极的;消失;效应。而且，也解决了阴极的问题，从而极大地提高了磁控溅射的稳定性。为化合物薄膜制备的工业化大生产提供了坚实的基础。近年来急速镀膜的复兴与发展已经作为人们炙手可热的一种新兴的薄膜制备技术而活跃在真空镀膜的技术领域中。

磁控溅射

磁控溅射靶材的利用率可成为磁控溅射源的工程设计和生产工艺成本核算的一个参数。目前没有见到对磁控溅射靶材利用率专门或系统研究的报道，而从理论上对磁控溅射靶材利用率近似计算的探讨具有实际意义。在机理下工作的不光磁控溅射，多弧镀靶源，离子源，等离子源等都在此原理下工作。对于静态直冷矩形平面靶，即靶材与磁体之间无相对运动且靶材直接与冷却水接触的靶，?靶材利用率数据多在20%~30%左右(间冷靶相对要高一些，但其被刻蚀过程与直冷靶相同，不作专门讨论)，且多为估计值。为了提高靶材利用率，研究出来了不同形式的动态靶，其中以旋转磁场圆柱靶工业上被广泛应用，据称这种靶材的利用率可超过70%，但缺少足够数据或理论证明。常见的磁控溅射靶材从几何形状上看有三种类型：矩形平面、圆形平面和圆柱管? 如何提高利用率是真空磁控溅射镀膜行业的***,圆柱管靶利用高,但在有些产业是不适用的,如何提高靶材利用,请到此一看的朋友,在下面留下你的见解,提供好的方法。

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磁控溅射镀膜设备技术的特点

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(1)工件变形小 由于工件表面均匀覆盖辉光，温度一致性好，可以通过控制功率输出来实现均匀升温。另阴极溅射抵消了渗人元素引起的尺寸扩一大

(2) 渗层的***和结构易于控制 通过调整工艺参数，可得到单相或多相的渗层***

(3)工件无须附加清理 阴极溅射可以有效去除氧化膜，净化工件表面，同时真空处理无新生氧化膜，这些都减少了附加设备和工时，降低了成本。

(4) 防渗方便 不需渗的地方可简单地遮蔽起来，对环境无公害，无污染，劳动条件好。

(5) 经济效益高，能耗小 虽然初始设备***较大，但工艺成本极低，是一种廉价的工程技术方法。此外，离子轰击渗扩技术易实现工艺过程或渗层质量的计算机控制，质量重复性好，可操作性强。