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发布时间:2020-08-27 03:29:44
刻蚀过程
普通的刻蚀过程大致如下:先在表面涂敷一层光致抗蚀剂,然后透过掩模对抗蚀剂层进行选择性***,由于抗蚀剂层的已***部分和未***部分在显影液中溶解速度不同,经过显影后在衬底表面留下了抗蚀剂图形,以此为掩模就可对衬底表面进行选择性腐蚀。如果衬底表面存在介质或金属层,则选择腐蚀以后,图形就转移到介质或金属层上。
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刻蚀工艺过程
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等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。 分离: 气体由等离子体分离为可化学反应的元素; 扩散: 这些元素扩散并吸附到硅片表面; 表面扩散:到达表面后, 四处移动; 反应: 与硅片表面的膜发生反应; 解吸: 反应的生成物解吸, 离开硅片表面; 排放: 排放出反应腔。
离子束刻蚀机
加工
离子束刻蚀可达到很高的分辨率,适合刻蚀精细图形。离子束加工小孔的优点是孔壁光滑,邻近区域不产生应力和损伤能加_工出任意形状的小孔,且孔形状只取决于掩模的孔形。
加工线宽为纳米级的窄槽是超精微加工的需要。如某零件要求在10nm的碳膜上,用电子束蒸镀10nm的金一铝(60/40)膜。
首先将样品置于真空系统中,其表面自然形成---种污染抗蚀剂掩模,用电子束***显影后形成线宽为8nm的图形,然后用ya离子束刻蚀,离子束流密度为0.1mA/cm, 离子能量是1keV;另一种是在20nm厚的金一钯膜上刻出线宽为8nm的图形、深宽比提高到2.5:10。 由此可见离子束加工可达到很高的精度。
离子束刻蚀
离子束刻蚀是利用具有一定能量的离子轰击材料表面,使材料原子发生溅射,从而达到刻蚀目的.把Ar、Kr或Xe之类惰性气体充入离子源放电室并使其电离形成等离子体,然后由栅极将离子呈束状引出并加速,具有一定能量的离子束进入工作室,射向固体表面撞击固体表面原子,使材料原子发生溅射,达到刻蚀目的,属纯物理过程。
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