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危害磁控溅射匀称性的要素

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靶基距、标准气压的危害靶基距都是危害磁控溅射塑料薄膜薄厚匀称性的关键加工工艺主要参数，塑料薄膜薄厚匀称性在必须范围之内随之靶基距的扩大有提升的发展趋势，无心插柳工作中标准气压都是危害塑料薄膜薄厚匀称性关键要素。磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子。可是，这类匀称是在小范围之内的，由于扩大靶基距造成的匀称性是提升靶上的一点儿相匹配的板材上的总面积造成的，而提升工作中标准气压是因为提升物体光学散射造成的，显而易见，这种要素只有在小总面积范围之内起***。

磁控溅射镀膜的特点

1、靶材粒子能量高（比热蒸发高出1个数量级），所制备膜层更致密，与石英片结合力更高：

2、一般备有辅助离子源，可以用来清洗石英片，清洗效果好；

3、易于制备熔点高的材料；

4、制备合金膜层，可以保证膜层材料比例与靶材相同；

5、由于装有中和器，也可以用来制备绝缘膜层。

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溅射镀膜

由于被溅射原子是与具有数十电子伏特能量的正离子交换动能后飞溅出来的，因而溅射出来的原子能量高，有利于提高沉积时原子的扩散能力，提高沉积***的致密程度，使制出的薄膜与基片具有强的附着力。该方法的缺点是不能制备绝缘体膜，而且磁控电极中采用的不均匀磁场会使靶材产生显著的不均匀刻蚀，导致靶材利用率低，一般仅为20%-30%。溅射时，气体被电离之后，气体离子在电场作用下飞向接阴极的靶材，电子则飞向接地的壁腔和基片。这样在低电压和低气压下，产生的离子数目少，靶材溅射效率低；而在高电压和高气压下，尽管可以产生较多的离子，但飞向基片的电子携带的能量高，容易使基片发热甚至发生二次溅射，影响制膜质量。另外，靶材原子在飞向基片的过程中与气体分子的碰撞几率也大为增加，因而被散射到整个腔体，既会造成靶材浪费，又会在制备多层膜时造成各层的污染。