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磁控溅射镀膜机

由于ITO 薄膜的导电属于n 型半导体性质,即其导电机制为还原态In2O3 放出两个电子,成为氧空穴载流子和In3 ,被固溶的四价掺锡置换后放出一个电子成为电子载流子。显然,不论哪一种导电机制,载流子密度均与溅射成膜时的氧含量有很大关系。3）渐变反射膜渐变反射膜是一种在不同角度观察，反射的颜色不同的膜层。随着氧含量的增加,当膜的组分接近化学配比时,迁移率有所增加,但却使载流子密度有所减少。这两种效应的综合结果是膜的光电性能随氧含量的变化呈极值现象。对应极值的氧含量直接决定着“工艺窗口”的宽窄,它与成膜时的基底温度、气流量及膜的沉积速率等参数有关。为便于控制氧含量,我们采用混合比为85∶15 的氧混合气代替纯氧,气体喷孔的设计保证了基底各处氧分子流场的均匀性。

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磁控溅射镀膜仪应用广泛

目前我国磁控溅射镀膜仪市场销售非常火热，这是一项热门的新技术，它带给企业和厂家的不仅仅是技术，还能够节省大量的人工运作成本，因此深受广大用户的青睐。

磁控溅射镀膜设备可制备多种薄膜，不同功能的薄膜，还可沉积组分混合的混合物、化合物薄膜；磁控溅射镀膜的特点1、靶材粒子能量高（比热蒸发高出1个数量级），所制备膜层更致密，与石英片结合力更高：2、一般备有辅助离子源，可以用来清洗石英片，清洗效果好。磁控溅射等离子体阻抗低，从而导致了高放电电流，在约５００Ｖ的电压下放电电流可从１Ａ 到１００Ａ（取决于阴极的长度）；成膜速率高，沉积速率变化范围可从１ｎｍ／ｓ到１０ｎｍ／ｓ；成膜的一致性好，甚至是在数米长的阴极溅射的情况下，仍能保证膜层的一致性；基板温升低；溅射出来的粒子能量约为几十电子伏特，成膜较为致密，且膜基结合较好。

磁控溅射镀膜设备得以广泛的应用是因为该技术的特点所决定的，其特点可归纳为：可制备成靶材的各种材料均可作为薄膜材料，包括各种金属、半导体、铁磁材料，以及绝缘的氧化物、陶瓷、聚合物等物质。

另外磁控溅射调节参数则可调谐薄膜性能，尤其适合大面积镀膜，沉积面积大膜层比较均匀。

近年来，磁控溅射镀膜设备在我国愈发的流行，从侧面反映出了我国工业发展十分迅速，今后设备取代人工的可能性是非常巨大的。

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磁控溅射镀膜设备技术的特点

创世威纳——***磁控溅射镀膜设备机供应商，我们为您带来以下信息。

(1)工件变形小 由于工件表面均匀覆盖辉光，温度一致性好，可以通过控制功率输出来实现均匀升温。另阴极溅射抵消了渗人元素引起的尺寸扩一大

(2) 渗层的***和结构易于控制 通过调整工艺参数，可得到单相或多相的渗层***

(3)工件无须附加清理 阴极溅射可以有效去除氧化膜，净化工件表面，同时真空处理无新生氧化膜，这些都减少了附加设备和工时，降低了成本。

(4) 防渗方便 不需渗的地方可简单地遮蔽起来，对环境无公害，无污染，劳动条件好。

(5) 经济效益高，能耗小 虽然初始设备***较大，但工艺成本极低，是一种廉价的工程技术方法。此外，离子轰击渗扩技术易实现工艺过程或渗层质量的计算机控制，质量重复性好，可操作性强。