磁控溅射镀膜机-创世威纳公司

磁控溅射法定义是什么？

磁控溅射法是在高真空充入适量的Ar，在阴极（柱状靶或平面靶）和阳极（镀膜室壁） 之间施加几百K 直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使Ar发生电离。Ar离子被阴极加速并轰击阴极靶表面，将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。

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真空磁控溅射镀膜

所谓溅射就是用荷能粒子（通常用惰性气体的正离子）去轰击固体（以下称靶材）表面，从而引起靶材表面上的原子（或分子）从其中逸出的一种现象。这一现象是格洛夫（Grove）于1842年在实验研究阴极腐蚀问题时，阴极材料被迁移到真空管壁上而发现的。

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磁控溅射镀膜机

由于ITO 薄膜的导电属于n 型半导体性质，即其导电机制为还原态In2O3 放出两个电子，成为氧空穴载流子和In3 ，被固溶的四价掺锡置换后放出一个电子成为电子载流子。显然，不论哪一种导电机制，载流子密度均与溅射成膜时的氧含量有很大关系。随着氧含量的增加，当膜的组分接近化学配比时，迁移率有所增加，但却使载流子密度有所减少。这两种效应的综合结果是膜的光电性能随氧含量的变化呈极值现象。对应极值的氧含量直接决定着“工艺窗口”的宽窄，它与成膜时的基底温度、气流量及膜的沉积速率等参数有关。为便于控制氧含量，我们采用混合比为85∶15 的氧混合气代替纯氧，气体喷孔的设计保证了基底各处氧分子流场的均匀性。

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