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刻蚀工艺过程

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等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。 分离： 气体由等离子体分离为可化学反应的元素； 扩散： 这些元素扩散并吸附到硅片表面； 表面扩散：到达表面后， 四处移动； 反应： 与硅片表面的膜发生反应； 解吸： 反应的生成物解吸，聚焦离子束刻蚀机生产厂家， 离开硅片表面； 排放： 排放出反应腔。

离子束刻蚀机

离子束分析具有一定能量的离子与物质相互作用会使其发射电子、光子、X射线等，还可能发生弹性散射、非弹性散射以及核反应，聚焦离子束刻蚀机品牌，产生反弹离子、反冲核、γ射线、氢核、氚核、粒子等核反应产物，可以提供有关该物质的组分、结构和状态等信息。利用这些信息来分析样品统称离子束分析。在离子束分析方法中，聚焦离子束刻蚀机供应商，比较成熟的有背散射分析X射线荧光分析、核反应分析和沟道效应（见沟道效应和阻塞效应）与其他分析相结合的分析方法等。此外，利用低能离子束还可作表面成分分析，如离子散射谱(ZSS)、次级离子质谱(SZMS)等。超灵敏质谱（质谱）、带电粒子活化分析、离子激发光谱、离子激发俄歇电子谱等正在发展中。用于离子束分析的MV级已有专门的商业化设备。

离子束刻蚀机的特点

刻蚀过程是纯物理溅射，聚焦离子束刻蚀机，可以刻蚀任何固体材料;平行离子束刻蚀，高各向异性;无钻蚀;精度高，分辨率lt;0.01um.

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