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发布时间:2020-04-10 09:32:35
直流溅射法
直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷传递给与其紧密接触的阴极,从而该方法只能溅射导体材料,磁控溅射镀膜机,不适于绝缘材料。因为轰击绝缘靶材时,表面的离子电荷无法中和,这将导致靶面电位升高,外加电压几乎都加在靶上,两极间的离子加速与电离的机会将变小,甚至不能电离,导致不能连续放电甚至放电停止,溅射停止。故对于绝缘靶材或导电性很差的非金属靶材,须用射频溅射法(RF)。
磁控溅射
磁控溅射法是在高真空充入适量的ya气,在阴极(柱状靶或平面靶)和阳极(镀膜室壁) 之间施加几百K 直流电压,在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电,使ya气发生电离。
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磁控溅射镀膜机工艺
关键工艺参数的优化
关键工艺参数的优化基于实验探索。实验是在自制的双室直流磁控溅射镀膜设备上进行的。该设备的镀膜室采用内腔尺寸为6700mm ×800mm ×2060mm的箱式形状,抽气系统采用两套K600 扩散泵机组,靶材采用德国Leybold 公司生产的陶瓷靶,ITO 薄膜基底是尺寸为1000mm ×500mm ×5mm 的普通浮法玻璃。
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