轰击离子束刻蚀机厂家-轰击离子束刻蚀机-创世威纳公司(查看)

刻蚀机

刻蚀精度主要是用保真度、选择比、均匀性等参数来衡量。所谓保真度度，轰击离子束刻蚀机厂家，就是要求把光刻胶的图形转移到其下的薄膜上，即希望只刻蚀所要刻蚀的薄膜，而对其上的掩膜和其下的衬底没有刻蚀。事实上，以上三个部分都会被刻蚀，只是刻蚀速率不同。选择比就是用来衡量这一指标的参数。S=V/U（V为对薄膜的刻蚀速率，U为对掩膜或衬底的刻蚀速率），S越大则选择比越好。由于跨越整个硅片的薄膜厚度和刻蚀速率不尽相同，从而也导致图形转移的不均匀，轰击离子束刻蚀机供应商，等离子刻蚀机尤其是中心和边缘相差较大。因而均匀性成为衡量这一指标的重要参数。除以上参数外，轰击离子束刻蚀机，刻蚀速率也是一个重要指标，它用来衡量硅片的产出速度，刻蚀速率越快，则产出率越高。

本产品信息有创世威纳提供，如果您想了解更多产品信息您可拨打图片上的电话进行咨询！

刻蚀气体的选择

对于多晶硅栅电极的刻蚀，腐蚀气体可用Cl2或SF6，要求对其下层的栅氧化膜具有高的选择比。刻蚀单晶硅的腐蚀气体可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蚀SiO2的腐蚀气体可用CHF3或CF4/H2；刻蚀Si3N4的腐蚀气体可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蚀Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蚀气体可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蚀W的腐蚀气体可用SF6或CF4；刻蚀光刻胶的腐蚀气体可用氧气。对于石英材料，可选择气体种类较多，比如CF4、CF4 H2、CHF3 等。我们选用CHF3 气体作为石英的腐蚀气体。其反应过程可表示为：CHF3 e——CHF 2 F (游离基) 2e，SiO 2 4F SiF4 (气体) O 2 (气体)。SiO 2 分解出来的氧离子在高压下与CHF 2 基团反应， 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多种挥发性气体 [3] 。

想了解更多关于刻蚀气体的选择的相关资讯，请持续关注本公司。

离子束

1.蚀刻加工：离子蚀刻用于加工陀螺仪空气轴承和动压马达上的沟槽，分辨率高，精度、重复一致性好。离子束蚀刻应用的另一个方面是蚀刻高精度图形，如集成电路、光电器件和光集成器件等征电子学构件。太阳能电池表面具有非反射纹理表面。离子束蚀刻还应用于减薄材料，轰击离子束刻蚀机品牌，制作穿透式电子显微镜试片。2.离子束镀膜加工：离子束镀膜加工有溅射沉积和离子镀两种形式。离子镀可镀材料范围广泛，不论金属、非金属表面上均可镀制金属或非金属薄膜，各种合金、化合物、或某些合成材料、半导体材料、高熔点材料亦均可镀覆。

轰击离子束刻蚀机厂家-轰击离子束刻蚀机-创世威纳公司(查看)由北京创世威纳科技有限公司提供。北京创世威纳科技有限公司（www.weinaworld.com.cn）坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支技术过硬的员工***，力求提供好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。创世威纳——您可信赖的朋友，公司地址：北京市昌平区回龙观北京国际信息产业基地高新二街2号4层，联系人：苏经理。