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刻蚀工艺过程

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等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。 分离： 气体由等离子体分离为可化学反应的元素； 扩散： 这些元素扩散并吸附到硅片表面； 表面扩散：到达表面后， 四处移动； 反应： 与硅片表面的膜发生反应； 解吸： 反应的生成物解吸， 离开硅片表面； 排放： 排放出反应腔。

离子束刻蚀机的特点

刻蚀过程是纯物理溅射，可以刻蚀任何固体材料;平行离子束刻蚀，高各向异性;无钻蚀;精度高，分辨率lt;0.01um.

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离子束刻蚀机

高精度加工

离子束刻蚀可达到很高的分辨率，适合刻蚀精细图形。离子束加工小孔的优点是孔壁光滑，邻近区域不产生应力和损伤能加_工出任意形状的小孔，且孔形状只取决于掩模的孔形。

加工线宽为纳米级的窄槽是超精微加工的需要。如某零件要求在10nm的碳膜上，用电子束蒸镀10nm的金一铝(60/40)膜。

首先将样品置于真空系统中，其表面自然形成---种污染抗蚀剂掩模，用电子束***显影后形成线宽为8nm的图形，然后用ya离子束刻蚀，离子束流密度为0.1mA/cm， 离子能量是1keV;另一种是在20nm厚的金一钯膜上刻出线宽为8nm的图形、深宽比提高到2.5:10。 由此可见离子束加工可达到很高的精度。