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刻蚀机

刻蚀精度主要是用保真度、选择比、均匀性等参数来衡量。所谓保真度度，就是要求把光刻胶的图形转移到其下的薄膜上，即希望只刻蚀所要刻蚀的薄膜，而对其上的掩膜和其下的衬底没有刻蚀。事实上，以上三个部分都会被刻蚀，只是刻蚀速率不同。选择比就是用来衡量这一指标的参数。S=V/U（V为对薄膜的刻蚀速率，U为对掩膜或衬底的刻蚀速率），S越大则选择比越好。由于跨越整个硅片的薄膜厚度和刻蚀速率不尽相同，从而也导致图形转移的不均匀，等离子刻蚀机尤其是中心和边缘相差较大。因而均匀性成为衡量这一指标的重要参数。除以上参数外，刻蚀速率也是一个重要指标，它用来衡量硅片的产出速度，刻蚀速率越快，则产出率越高。

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反应离子刻蚀的原理

在反应离子刻蚀中，气体放电产生的等离子体中有大量化学活性的气体离子，这些离子与材料表面相互作用导致表面原子产生化学反应，生成可挥发产物。这些挥发产物随真空抽气系统被排走。随着材料表层的“反应-剥离-排放”的周期循环，材料被逐层刻蚀到特定深度。除了表面化学反应外，带能量的离子轰击材料表面也会使表面原子溅射，产生一定的刻蚀作用。所以，反应离子刻蚀包括物理和化学刻蚀两者的结合。

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离子束刻蚀机

离子束刻蚀机由真空室、工作台、快门、真空抽气系统、供气系统、水冷系统、电源和 电器系统等主要部分组成,图1-1所示为离子束刻蚀机的工作原理图。该机在正常工作 时,首先将真空室的压力抽至2×10-3Pa或更低,再调节Ar气流量,使真空室压力保持 在1×10-2~2×10-2Pa(如需要辅助气体,如O2、CH2等,则可按一定比例与之混合), 然后启动离子源各电源,使离子源正常工作,从离子源引出一定能量和密度的离子束 被中和器发射的电子中和后,轰击工件进行溅射刻蚀。