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磁控溅射镀膜机工艺

（1）技术方案 磁控溅射镀光学膜，有以下三种技术路线： （a）陶瓷靶溅射：靶材采用金属化合物靶材，可以直接沉积各种氧化物或者氮化物，有时候为了得到更高的膜层纯度，也需要通入一定量反应气体）； （b）反应溅射：靶材采用金属或非金属靶，通入稀有和反应气体的混合气体，进行溅射沉积各种化合物膜层。 （c）离子辅助沉积：先沉积一层很薄的金属或非金属层，然后再引入反应气体离子源，将膜层进行氧化或者氮化等。 采用以上三种技术方案，在溅射沉积光学膜时，都会存在靶zhong毒现象，从而导致膜层沉积速度非常慢，对于上节介绍各种光学膜来说，膜层厚度较厚，江西真空磁控溅射镀膜机，膜层总厚度可达数百纳米。这种沉积速度显然增加了镀膜成本，从而限制了磁控溅射镀膜在光学上的应用。

（2）新型反应溅射技术 笔者对现有反应溅射技术方案进行了改进，开发出新的反应溅射技术，解决了镀膜沉积速度问题，同时膜层的纯度达到光学级别要求。表2.1是采用新型反应溅射沉积技术，膜层沉积速度对比情况。

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磁控溅射中靶zhong毒是怎么回事，一般的影响因素是什么？

靶zhong毒的影响因素

影响靶zhong毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶zhong毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，真空磁控溅射镀膜机工作原理，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，真空磁控溅射镀膜机报价，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到***，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全zhong毒。

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磁控溅射镀膜机

由于ITO 薄膜的导电属于n 型半导体性质，即其导电机制为还原态In2O3 放出两个电子，成为氧空穴载流子和In3 ，真空磁控溅射镀膜机供应商，被固溶的四价掺锡置换后放出一个电子成为电子载流子。显然，不论哪一种导电机制，载流子密度均与溅射成膜时的氧含量有很大关系。随着氧含量的增加，当膜的组分接近化学配比时，迁移率有所增加，但却使载流子密度有所减少。这两种效应的综合结果是膜的光电性能随氧含量的变化呈极值现象。对应极值的氧含量直接决定着“工艺窗口”的宽窄，它与成膜时的基底温度、气流量及膜的沉积速率等参数有关。为便于控制氧含量，我们采用混合比为85∶15 的氧混合气代替纯氧，气体喷孔的设计保证了基底各处氧分子流场的均匀性。

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