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危害磁控溅射匀称性的要素

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靶基距、标准气压的危害靶基距都是危害磁控溅射塑料薄膜薄厚匀称性的关键加工工艺主要参数，塑料薄膜薄厚匀称性在必须范围之内随之靶基距的扩大有提升的发展趋势，无心插柳工作中标准气压都是危害塑料薄膜薄厚匀称性关键要素。可是，这类匀称是在小范围之内的，由于扩大靶基距造成的匀称性是提升靶上的一点儿相匹配的板材上的总面积造成的，而提升工作中标准气压是因为提升物体光学散射造成的，显而易见，这种要素只有在小总面积范围之内起***。近年来急速镀膜的复兴与发展已经作为人们炙手可热的一种新兴的薄膜制备技术而活跃在真空镀膜的技术领域中。

真空磁控溅射镀膜

所谓溅射就是用荷能粒子（通常用惰性气体的正离子）去轰击固体（以下称靶材）表面，从而引起靶材表面上的原子（或分子）从其中逸出的一种现象。这一现象是格洛夫（Grove）于1842年在实验研究阴极腐蚀问题时，阴极材料被迁移到真空管壁上而发现的。同时被溅射出的二次电子在阴极暗区被加速，在飞向基片的过程中，落入设定的正交电磁场的电子阱中，直接被磁场的洛伦兹力束缚，使其在磁场B的洛伦兹力作用下，以旋轮线和螺旋线的复合形式在靶表面附近作回旋运动。

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磁控溅射镀膜机

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真空镀膜机利用这种溅射方法在基体上沉积薄膜是1877年问世的。但是，利用这种方法沉积薄膜的初期存在着溅射速率低，成膜速度慢，并且必须在装置上设置高压和通入惰性气体等一系列问题。因此，发展缓慢险些被淘汰。只是在化学活性强的金属、难容金属、介质以及化合物等材料上得到了少量的应用。直到20世纪70年代，由于磁控溅射及时的出现，才使溅射镀膜得到了迅速的发展，开始走入了复兴的道路。这是因为磁控溅射法可以通过正交电磁场对电子的约束，增加了电子与气体分子的碰撞概率，这样不但降低了加在阴极上的电压，而且提高了正离子对靶阴极的溅射速率，减少了电子轰击基体的概率，从而降低了它的温度，即具备了;高速、低温的两大特点。到了80年代，虽然他的出现仅仅十几年间，它就从实验室中脱颖而出，真正地进入了工业大生产的领域。而且，随着科学技术的进一步发展，近几年来在溅射镀膜领域中推出了离子束增强溅射，采用宽束强流离子源结合磁场调制，并与常规的二极溅射相结合组成了一种新的溅射模式。而且，又将中频交流电源引入到磁控溅射的靶源中。总之，只有控制好以上各因素，才能够保证所开发的镀膜PET具有稳定的颜色、优异的性能和耐久性。这种被称为孪生靶溅射的中频交流磁控溅射技术，不但消除了阳极的;消失;效应。而且，也解决了阴极的问题，从而极大地提高了磁控溅射的稳定性。为化合物薄膜制备的工业化大生产提供了坚实的基础。近年来急速镀膜的复兴与发展已经作为人们炙手可热的一种新兴的薄膜制备技术而活跃在真空镀膜的技术领域中。

磁控溅射

（1）各种功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低温沉积氮化硅减反射膜，以提高太阳能电池的光电转换效率。

（2）装饰领域的应用，如各种全反射膜及半透明膜等，如手机外壳，鼠标等。

（3） 在微电子领域作为一种非热式镀膜技术，主要应用在化学气相沉积（CVD）或金属有机

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